公开(公告)号：US07210516B2

公开(公告)日：2007-05-01

申请号：US10625657

申请日：2003-07-24

申请人： Saburou Wakita ,  Junichi Sasaki ,  Yuuji Ishiwari ,  Kouji Tsuzukihashi

发明人： Saburou Wakita ,  Junichi Sasaki ,  Yuuji Ishiwari ,  Kouji Tsuzukihashi

IPC分类号： B22D7/06

CPC分类号： C30B29/06 ,  B22D7/06 ,  B22D9/003 ,  C30B11/00

摘要： A casting apparatus including a die that contains a molten metal that is poured via an opening section disposed above the die. The casting apparatus also includes a heater disposed above the die, and a gas supplying structure for supplying an inter gas to a surface of the molten metal. The casting apparatus further includes a lid disposed between the surface of the molten metal and the heater, and a lid moving structure for moving the lid to the die relatively so as to control the opening amount of the opening section above the die.

摘要翻译： 一种铸造设备，包括：模具，其包含经由设置在模具上方的开口部分注入的熔融金属。 铸造设备还包括设置在模具上方的加热器，以及用于将内部气体供应到熔融金属表面的气体供给结构。 铸造装置还包括设置在熔融金属表面和加热器之间的盖，以及用于相对地将盖移动到模具的盖移动结构，以控制模具上方的开口部分的开口量。

公开(公告)号：US07955583B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US12438763

申请日：2007-08-31

申请人： Kouji Tsuzukihashi ,  Hiroshi Ikeda ,  Atsuo Yanagimachi ,  Saburo Wakita

发明人： Kouji Tsuzukihashi ,  Hiroshi Ikeda ,  Atsuo Yanagimachi ,  Saburo Wakita

IPC分类号： C01B33/02

CPC分类号： C01B33/037 ,  C30B11/00 ,  C30B29/06

摘要： This metallic silicon is manufactured by refining molten crude metallic silicon by unidirectional solidification, and has a purity of 3N or more to 6N or less and an average crystal grain diameter of 1 mm or more. This method for manufacturing the metallic silicon includes: solidifying molten crude metallic silicon in a mold which contains fine silica particles in an inner peripheral layer thereof by unidirectional solidification at a rate of 1 mm/min or less; and then cooling to 200° C. or below at a rate of 2° C./min or less.

摘要翻译： 该金属硅是通过单向凝固精炼熔融的粗制金属硅来制造的，其纯度为3N以上且6N以下，平均晶粒直径为1mm以上。 该金属硅的制造方法包括：通过以1mm / min以下的速度进行单向凝固，在其内周层中固化含有二氧化硅微粒的模具中的熔融粗制金属硅; 然后以2℃/ min以下的速度冷却至200℃以下。

公开(公告)号：US20090297425A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12438763

申请日：2007-08-31

申请人： Kouji Tsuzukihashi ,  Hiroshi Ikeda ,  Atsuo Yanagimachi ,  Saburo Wakita

发明人： Kouji Tsuzukihashi ,  Hiroshi Ikeda ,  Atsuo Yanagimachi ,  Saburo Wakita

IPC分类号： C01B33/021

CPC分类号： C01B33/037 ,  C30B11/00 ,  C30B29/06

摘要： This metallic silicon is manufactured by refining molten crude metallic silicon by unidirectional solidification, and has a purity of 3N or more to 6N or less and an average crystal grain diameter of 1 mm or more. This method for manufacturing the metallic silicon includes: solidifying molten crude metallic silicon in a mold which contains fine silica particles in an inner peripheral layer thereof by unidirectional solidification at a rate of 1 mm/min or less; and then cooling to 200° C. or below at a rate of 2° C./min or less.

摘要翻译： 该金属硅是通过单向凝固精炼熔融的粗制金属硅来制造的，其纯度为3N以上且6N以下，平均晶粒直径为1mm以上。 该金属硅的制造方法包括：通过以1mm / min以下的速度进行单向凝固，在其内周层中固化含有二氧化硅微粒的模具中的熔融粗制金属硅; 然后以2℃/ min以下的速度冷却至200℃以下。