Metal oxide film resistor
    1.
    发明授权
    Metal oxide film resistor 失效
    金属氧化膜电阻

    公开(公告)号:US5889459A

    公开(公告)日:1999-03-30

    申请号:US750205

    申请日:1996-11-27

    IPC分类号: H01C7/06 H01C17/065

    CPC分类号: H01C7/06 H01C17/06533

    摘要: According to the present invention, there is provided a metal oxide film resistor which has an insulating substrate, a metal oxide resistive film having at least a metal oxide film having a positive temperature coefficient of resistance and/or a metal oxide film having a negative temperature coefficient of resistance, and/or a metal oxide insulating film. The metal oxide film resistor is not affected by moisture or alkali ions in the insulating substrate. The resistance of the film itself does not change. The metal oxide film resistor is extremely reliable.

    摘要翻译: PCT No.PCT / JP96 / 00809 Sec。 371日期:1996年11月27日 102(e)1996年11月27日PCT 1996年3月28日PCT公布。 公开号WO96 / 3091500。 日期1996年10月3日根据本发明,提供了一种金属氧化物膜电阻器,其具有绝缘基板,至少具有正温度系数电阻的金属氧化物膜和/或金属氧化物的金属氧化物电阻膜 具有负温度系数的膜,和/或金属氧化物绝缘膜。 金属氧化物膜电阻器不受绝缘基板中的水分或碱离子的影响。 电影本身的阻力不会改变。 金属氧化膜电阻非常可靠。