公开(公告)号：US5250740A

公开(公告)日：1993-10-05

申请号：US818384

申请日：1992-01-09

申请人： Kevin J. Mackey ,  Anthony W. Vere ,  Donald C. Bradley ,  Daro M. Frigo ,  Marc M. Faktor, deceased

发明人： Kevin J. Mackey ,  Anthony W. Vere ,  Donald C. Bradley ,  Daro M. Frigo ,  Marc M. Faktor, deceased

IPC分类号： C23C16/30 ,  C07C45/77

CPC分类号： C23C16/30

摘要： A method for forming a layer of a Group II or III fluoride on a semiconductor substrate (e.g. as epitaxial insulating layer) comprising vaporising a precursor (I), where M is Be, Ca, Sr, Ba or lanthanide, b and d are 0 or 1. A, B, C and D are independently (IIA) or (IIB), X being O, S, NR, PR where R is H, alkyl, perfluoroalkyl; Y is perfluoroalkyl, fluoroalkenyl, fluoroalkylamine or fluoroalkenylamine; Z is H, F, alkyl, perfluoroalkyl or perfluoroalkenyl; and then decomposing the precursor vapor to form M fluoride. A preferred precursor for CaF.sub.2 is a calcium 1,1,1,5,5,5-hexafluor-2,4-pentanedione complex where b and d are 0.

摘要翻译： 一种用于在半导体衬底（例如作为外延绝缘层）上形成II或III族氟化物层的方法，包括蒸发前体（I），其中M为Be，Ca，Sr，Ba或镧系元素，b和d为0 或A，B，C和D独立地为（IIA）或（IIB），X为O，S，NR，PR，其中R为H，烷基，全氟烷基; Y是全氟烷基，氟烯基，氟烷基胺或氟链烯基胺; Z是H，F，烷基，全氟烷基或全氟链烯基; 然后分解前体蒸气形成氟化物。 CaF2的优选前体是1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊二酮络合物，其中b和d为0。

公开(公告)号：US5116785A

公开(公告)日：1992-05-26

申请号：US619831

申请日：1990-11-30

申请人： Kevin J. Mackey ,  Anthony W. Vere ,  Donald C. Bradley ,  Dario M. Frigo ,  Marc M. Faktor, deceased

发明人： Kevin J. Mackey ,  Anthony W. Vere ,  Donald C. Bradley ,  Dario M. Frigo ,  Marc M. Faktor, deceased

IPC分类号： C30B29/12 ,  C07F3/04 ,  C23C16/30 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/314 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC分类号： C23C16/30

摘要： A method for forming a layer of a Group II or III fluoride on a semiconductor substrate (e.g. as epitaxial insulating layer) comprising vaporizing a precursor (I), where M is Be, Ca, Sr, Ba or lanthanide, b and d are 0 or 1. A, B, C and D are independently (IIA) or (IIB), X being O, S, NR, PR where R is H, alkyl, perfluoroalkyl; Y is perfluoroalkyl, fluoroalkenyl, fluoroalkylamine or fluoroalkenylamine; Z is H, F, alkyl, perfluoroalkyl or perfluoroalkenyl; and then decomposing the precursor vapor to form M fluoride. A preferred precursor for calcium fluoride is calcium 1,1,1,5,5,5-hexafluor-2,4-pentanedione complex where b and d are 0.

摘要翻译： 一种用于在半导体衬底（例如作为外延绝缘层）上形成II或III族氟化物层的方法，包括使M为Be，Ca，Sr，Ba或镧系元素的b，d为M的前体（I） 或A，B，C和D独立地为（IIA）或（IIB），X为O，S，NR，PR，其中R为H，烷基，全氟烷基; Y是全氟烷基，氟烯基，氟烷基胺或氟链烯基胺; Z是H，F，烷基，全氟烷基或全氟链烯基; 然后分解前体蒸气形成氟化物。 氟化钙的优选前体是1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-戊二酮络合物，其中b和d为0。