公开(公告)号：US20050136648A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US10745723

申请日：2003-12-23

申请人： Mariah Sharma ,  Thomas Anthony ,  Heon Lee

发明人： Mariah Sharma ,  Thomas Anthony ,  Heon Lee

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/12

摘要： An aspect of the present invention is a method of forming a contact in a thin-film device. The method includes forming a liftoff stencil, depositing at least one material through the liftoff stencil, removing a portion of the liftoff stencil, depositing a dielectric material, planarizing the dielectric material thereby exposing a portion of the at least one material and depositing a conductor material in contact with the exposed portion of the at least one material.

摘要翻译： 本发明的一个方面是在薄膜器件中形成接触的方法。 该方法包括形成剥离模板，将至少一种材料沉积通过剥离模板，去除剥离模板的一部分，沉积电介质材料，平坦化介电材料，从而暴露至少一种材料的一部分并沉积导体材料 与所述至少一种材料的暴露部分接触。