公开(公告)号：US06673716B1

公开(公告)日：2004-01-06

申请号：US10060725

申请日：2002-01-30

申请人： Gerard C. D'Couto ,  George Tkach ,  Michael Woitge ,  Michal Danek

发明人： Gerard C. D'Couto ,  George Tkach ,  Michael Woitge ,  Michal Danek

IPC分类号： H01L2122

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/185 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28568

摘要： A method of depositing thin films comprising Ti and TiN within vias and trenches having high aspect ratio openings. The Ti and TiN layers are formed on an integrated circuit substrate using a Ti target in a non-nitrided mode in a hollow cathode magnetron apparatus in combination with controlling the deposition temperatures by integrating cooling steps into the Ti/TiN deposition processes to modulate the via and contact resistance. The Ti and TiN layers are deposited within a single deposition chamber, without the use of a collimator or a shutter.

摘要翻译： 在具有高纵横比开口的通孔和沟槽内沉积包含Ti和TiN的薄膜的方法。 在中空阴极磁控管装置中，使用非氮化模式的Ti靶在集成电路基板上形成Ti和TiN层，结合通过将冷却步骤集成到Ti / TiN沉积工艺中来调节通孔 和接触电阻。 Ti和TiN层沉积在单个沉积室内，而不使用准直器或快门。