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    SEMICONDUCTOR DEVICE
    1.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US20130292795A1

    公开(公告)日：2013-11-07

    申请号：US13590079

    申请日：2012-08-20

    申请人： Chang-Soo Pyon ,  Min-Ho Ko ,  Hyun-Chol Bang ,  Kwang-Min Kim ,  Won-Kyu Kwak

    发明人： Chang-Soo Pyon ,  Min-Ho Ko ,  Hyun-Chol Bang ,  Kwang-Min Kim ,  Won-Kyu Kwak

    IPC分类号： H01L29/02

    CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/40

    摘要： A semiconductor device includes a substrate, a first conductive layer on the substrate and including a main pattern, and substantially symmetrical auxiliary patterns extending from two sides of the main pattern, an insulating layer on the substrate and the first conductive layer, and a second conductive layer on the insulating layer and overlapping at least a portion of the main pattern and the auxiliary patterns.

    摘要翻译： 半导体器件包括衬底，衬底上的第一导电层和主图案，以及从主图案的两侧延伸的基本对称的辅助图案，衬底上的绝缘层和第一导电层，以及第二导电层 层，并且与主图案和辅助图案的至少一部分重叠。