公开(公告)号：US09315918B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US13416765

申请日：2012-03-09

申请人： Sung-Lin Hsu ,  Cheng-Jui Yang ,  Pei-Kai Huang ,  Sheng-Hua Ni ,  Yu-Min Yang ,  Ming-Kung Hsiao ,  Wen-Huai Yu ,  Ching-Shan Lin ,  Wen-Ching Hsu ,  Chung-Wen Lan

发明人： Sung-Lin Hsu ,  Cheng-Jui Yang ,  Pei-Kai Huang ,  Sheng-Hua Ni ,  Yu-Min Yang ,  Ming-Kung Hsiao ,  Wen-Huai Yu ,  Ching-Shan Lin ,  Wen-Ching Hsu ,  Chung-Wen Lan

IPC分类号： C01B33/02 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B11/006 ,  C01B33/02 ,  C30B9/00 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/02 ,  C30B11/14 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06

摘要： A crystalline silicon ingot and a method of fabricating the same are disclosed. The crystalline silicon ingot of the invention includes multiple silicon crystal grains growing in a vertical direction of the crystalline silicon ingot. The crystalline silicon ingot has a bottom with a silicon crystal grain having a first average crystal grain size of less than about 12 mm. The crystalline silicon ingot has an upper portion, which is about 250 mm away from said bottom, with a silicon crystal grain having a second average crystal grain size of greater than about 14 mm.

摘要翻译： 公开了一种晶体硅锭及其制造方法。 本发明的结晶硅锭包括在晶体硅锭的垂直方向上生长的多个硅晶粒。 晶体硅锭的底部具有第一平均晶粒尺寸小于约12mm的硅晶粒。 晶体硅锭的上部距离所述底部约250mm，硅晶粒具有大于约14mm的第二平均晶粒尺寸。

公开(公告)号：US20130095027A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13416765

申请日：2012-03-09

申请人： Sung-Lin HSU ,  Cheng-Jui YANG ,  Pei-Kai HUANG ,  Sheng-Hua NI ,  Yu-Min YANG ,  Ming-Kung HSIAO ,  Wen-Huai YU ,  Ching-Shan LIN ,  Wen-Ching HSU ,  Chung-Wen LAN

发明人： Sung-Lin HSU ,  Cheng-Jui YANG ,  Pei-Kai HUANG ,  Sheng-Hua NI ,  Yu-Min YANG ,  Ming-Kung HSIAO ,  Wen-Huai YU ,  Ching-Shan LIN ,  Wen-Ching HSU ,  Chung-Wen LAN

IPC分类号： C01B33/02 ,  C03B19/02

CPC分类号： C30B11/006 ,  C01B33/02 ,  C30B9/00 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/02 ,  C30B11/14 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06

摘要： A crystalline silicon ingot and a method of fabricating the same are disclosed. The crystalline silicon ingot of the invention includes multiple silicon crystal grains growing in a vertical direction of the crystalline silicon ingot. The crystalline silicon ingot has a bottom with a silicon crystal grain having a first average crystal grain size of less than about 12 mm. The crystalline silicon ingot has an upper portion, which is about 250 mm away from said bottom, with a silicon crystal grain having a second average crystal grain size of greater than about 14 mm.

摘要翻译： 公开了一种晶体硅锭及其制造方法。 本发明的结晶硅锭包括在晶体硅锭的垂直方向上生长的多个硅晶粒。 晶体硅锭的底部具有第一平均晶粒尺寸小于约12mm的硅晶粒。 晶体硅锭的上部距离所述底部约250mm，硅晶粒具有大于约14mm的第二平均晶粒尺寸。