公开(公告)号：US08987011B2

公开(公告)日：2015-03-24

申请号：US13391916

申请日：2010-08-18

申请人： Klaus Köhler ,  Stefan Müller ,  Patrick Waltereit

发明人： Klaus Köhler ,  Stefan Müller ,  Patrick Waltereit

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

摘要： A method for determining the structure of a transistor having at least one first layer including GaN, one second layer including AlxGa1-xN disposed on the first layer, and one fourth layer including a metal or an alloy disposed on the second layer. The method includes setting the layer thickness of the second layer, setting the aluminum content x of the second layer, producing at least the second layer and the first layer, determining the surface potential of formula (I) and/or the charge carrier density n, and/or the charge carrier motility μ after producing the second layer and the first layer, and selecting the material of the fourth layer as a function of the at least one measurement result.

摘要翻译： 一种用于确定晶体管的结构的方法，所述晶体管具有包括GaN的至少一个第一层，设置在所述第一层上的包括Al x Ga 1-x N的一个第二层以及包括设置在所述第二层上的金属或合金的第四层。 该方法包括设定第二层的层厚度，设定第二层的铝含量x，产生至少第二层和第一层，确定式（I）的表面电位和/或电荷载流子密度n ，和/或产生第二层和第一层之后的电荷载流子运动μ，以及根据至少一个测量结果选择第四层的材料。

公开(公告)号：US20120161150A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US13391916

申请日：2010-08-18

申请人： Klaus Köhler ,  Stefan Müller ,  Patrick Waltereit

发明人： Klaus Köhler ,  Stefan Müller ,  Patrick Waltereit

IPC分类号： H01L29/201 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

摘要： A method for determining the structure of a transistor having at least one first layer including GaN, one second layer including AlxGa1-xN disposed on the first layer, and one fourth layer including a metal or an alloy disposed on the second layer. The method includes setting the layer thickness of the second layer, setting the aluminum content x of the second layer, producing at least the second layer and the first layer, determining the surface potential of formula (I) and/or the charge carrier density n, and/or the charge carrier motility μ after producing the second layer and the first layer, and selecting the material of the fourth layer as a function of the at least one measurement result.

摘要翻译： 一种用于确定具有至少一个包括GaN的第一层的晶体管的结构的方法，包括设置在第一层上的Al x Ga 1-x N的一个第二层和设置在第二层上的金属或合金的第四层。 该方法包括设定第二层的层厚度，设定第二层的铝含量x，产生至少第二层和第一层，确定式（I）的表面电位和/或电荷载流子密度n ，和/或产生第二层和第一层之后的电荷载流子运动μ，以及根据至少一个测量结果选择第四层的材料。