公开(公告)号：US07056761B1

公开(公告)日：2006-06-06

申请号：US10388815

申请日：2003-03-14

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Ann Concannon ,  Peter J. Hoppet ,  Marcel ter Beek

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Ann Concannon ,  Peter J. Hoppet ,  Marcel ter Beek

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7391 ,  H01L29/866 ,  Y10S438/979 ,  Y10S438/983

摘要： In an avalanche structure, different breakdown voltages are achieved by making use of a polygate and forming a highly doped p-n junction beneath the polygate, and adjusting the gate length and optionally the bias voltage of the gate.

摘要翻译： 在雪崩结构中，通过利用多晶硅栅极形成不同的击穿电压，并在多晶硅管下面形成高掺杂的p-n结，并调整栅极长度和可选的栅极偏置电压。