公开(公告)号：US20060054979A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US11010643

申请日：2004-12-13

申请人： Philipp Kratzert ,  Norbert Schulze ,  Juerg Haufe ,  Roland Haberkern ,  Stephan Riedel ,  Patrick Haibach

发明人： Philipp Kratzert ,  Norbert Schulze ,  Juerg Haufe ,  Roland Haberkern ,  Stephan Riedel ,  Patrick Haibach

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66833

摘要： A method for fabricating a drain/source path is provided, in which essentially firstly a nitride layer is applied, on which a TEOS layer is then patterned. The patterning is effected in a simplified manner by virtue of the fact that the nitride layer acts as an etching stop layer during the etching away of the TEOS layer.

摘要翻译： 提供了一种用于制造漏极/源极路径的方法，其中基本上首先施加氮化物层，然后在其上构图TEOS层。 由于在TEOS层蚀刻期间氮化物层作为蚀刻停止层的事实，以简化的方式实现图案化。