Single-mask double-patterning lithography
    1.
    发明授权
    Single-mask double-patterning lithography 有权
    单掩模双图案平版印刷

    公开(公告)号:US08415089B1

    公开(公告)日:2013-04-09

    申请号:US12723798

    申请日:2010-03-15

    IPC分类号: G03F7/00 G03C5/00

    CPC分类号: G03F7/70466

    摘要: A method of printing a final layout on a wafer comprises printing a first pattern from a first mask located at a first position onto the wafer, shifting the first mask by a predetermined distance to a second position, printing the first pattern from the first mask located at the second position onto the wafer, and applying a trim mask to the wafer.

    摘要翻译: 在晶片上印刷最终布局的方法包括将位于第一位置的第一掩模的第一图案打印到晶片上,将第一掩模移动预定距离到第二位置,将第一图案从位于第一掩模 在晶片上的第二位置处,并且向晶片施加修剪掩模。