公开(公告)号：US20060095887A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：US10977421

申请日：2004-10-29

申请人： Robert Bigwood ,  Shem Ogadhoh ,  Joseph Brandenburg

发明人： Robert Bigwood ,  Shem Ogadhoh ,  Joseph Brandenburg

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A correction for photolithography masks used in semiconductor and micro electromechanical systems is described. The correction is based on process windows. In one example, the invention includes evaluating a segment of an idealized photolithography mask at a plurality of different possible process variable values to estimate a corresponding plurality of different photoresist edge positions, comparing the estimated edge positions to a minimum critical dimension, and moving the segment on the idealized photolithography mask if the estimated edge positions do not satisfy the minimum critical dimension.

摘要翻译： 描述了半导体和微机电系统中使用的光刻掩模的校正。 校正是基于过程窗口。 在一个示例中，本发明包括以多个不同的可能过程变量值来评估理想化的光刻掩模的段，以估计相应的多个不同的光刻胶边缘位置，将估计边缘位置与最小临界尺寸进行比较，以及移动该段 在理想的光刻掩模上，如果估计的边缘位置不满足最小临界尺寸。