公开(公告)号：US20050202629A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：US10798559

申请日：2004-03-12

申请人： Dustin Woodbury ,  Robert Kinzig ,  James Beasom ,  Timothy Valade ,  Donald Hemmenway ,  Kitty Elshot

发明人： Dustin Woodbury ,  Robert Kinzig ,  James Beasom ,  Timothy Valade ,  Donald Hemmenway ,  Kitty Elshot

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/60

摘要： A method of forming a non-single-crystalline capacitor in an integrated circuit. It includes the steps of forming a first non-single-crystalline layer on a gate dielectric layer of a substrate of an integrated circuit. Next, a capacitor dielectric layer is formed on the first non-single-crystalline layer, and a second non-single-crystalline layer is formed on the capacitor dielectric layer. Portions of the second non-single-crystalline layer are removed to define a top plate of the capacitor. Portions of the capacitor dielectric layer are removed to define a dielectric of the capacitor. Also, portions of the first non-single-crystalline layer are removed to define the bottom plate of the capacitor.

摘要翻译： 一种在集成电路中形成非单晶电容器的方法。 它包括在集成电路的衬底的栅极电介质层上形成第一非单晶层的步骤。 接下来，在第一非单晶层上形成电容器电介质层，在电容器电介质层上形成第二非单晶层。 去除第二非单晶层的部分以限定电容器的顶板。 去除电容器介质层的部分以限定电容器的电介质。 此外，去除第一非单晶层的部分以限定电容器的底板。