公开(公告)号：US20060154184A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US10905596

申请日：2005-01-12

申请人： Arpan Mahorowala ,  Scott Bell ,  S. Dakshina Murthy ,  Stacy Rasgon ,  Hongwen Yan ,  Chih-Yuh Yang

发明人： Arpan Mahorowala ,  Scott Bell ,  S. Dakshina Murthy ,  Stacy Rasgon ,  Hongwen Yan ,  Chih-Yuh Yang

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144

摘要： A method of patterning a feature in a substrate to reduce edge roughness comprises forming a resist layer overlying a substrate, exposing the resist layer to create an image of a feature, and developing the exposed resist layer to leave a portion of the resist layer that creates the image of the feature. The method then includes treating the exposed resist layer with a plasma to cure the portion of the resist layer creating the feature image. The plasma treatment has an ion bombardment level insufficient to substantially etch the underlying substrate. The method then includes etching the underlying substrate to create the feature.

摘要翻译： 图案化衬底中的特征以减少边缘粗糙度的方法包括形成覆盖衬底的抗蚀剂层，暴露抗蚀剂层以产生特征的图像，以及显影曝光的抗蚀剂层以留下产生的抗蚀剂层的一部分 功能的图像。 该方法然后包括用等离子体处理曝光的抗蚀剂层以固化形成特征图像的抗蚀剂层的部分。 等离子体处理具有不足以基本上蚀刻下面的衬底的离子轰击水平。 该方法然后包括蚀刻下面的基底以产生特征。