公开(公告)号：US20050264958A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：US11078405

申请日：2005-03-14

申请人： Igor Shvets ,  Sunil Arora ,  Sumesh Sofin Pilli

发明人： Igor Shvets ,  Sunil Arora ,  Sumesh Sofin Pilli

IPC分类号： G11B5/33 ,  H01F1/00 ,  H01F10/00 ,  H01F10/32 ,  H01F41/30

CPC分类号： H01F41/30 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F1/0072 ,  H01F10/007 ,  H01F10/32 ,  Y10T428/1234 ,  Y10T428/31

摘要： A magnetoresistive medium (1) comprises a substrate (2) which has been treated to provide a miscut vicinal surface (3) in the form of terraces (4) and steps (5) of atomic and nanometer scale. There are discrete separated spacer nanowires (7) provided by an intermediate partial spacer film on each terrace (4) against each step (5). A further main film (11) provides main nanowires (10(a), 10(b)). A thin protective layer (15) covers the main nanowires (10(a), 10(b)) which form two separate subsets of main nanowires with different exchange interaction with the substrate and thus a different response to an external magnetic field. In use, when an external magnetic field (H) is applied the response of the main nanowires (10(a), 10(b)) changes as the exchange coupling with the substrate (2) varies and the magnetisation on the main nanowires (10(a), 10(b)) change. This is shown by the arrows while prior to the application of the external magnetic field, they might, for example, be aligned. Many different constructions of magnetoresistive media are described.

摘要翻译： 磁阻介质（1）包括已经被处理以提供梯度（4）和原子级和纳米级的步骤（5）形式的捣实邻位表面（3）的基底（2）。 离开分离的间隔物纳米线（7）由每个台阶（4）上的中间部分间隔膜针对每个步骤（5）提供。 另外的主膜（11）提供主要的纳米线（10（a），10（b））。 薄的保护层（15）覆盖主纳米线（10（a），10（b）），其形成具有与衬底的不同交换相互作用的主要纳米线的两个单独的子集，并且因此对外部磁场具有不同的响应。 在使用中，当施加外部磁场（H）时，主纳米线（10（a），10（b））的响应随着与衬底（2）的交换耦合而变化并且主纳米线上的磁化（ 10（a），10（b））改变。 这在施加外部磁场之前由箭头示出，但是它们可以例如对准。 描述了许多不同结构的磁阻介质。