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1.发明申请DUAL METAL INTERCONNECTS FOR IMPROVED GAP-FILL, RELIABILITY, AND REDUCED CAPACITANCE 审中-公开改进的GAP-FILL，可靠性和降低电容的双金属互连公开(公告)号：US20110079910A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：US12967865
申请日：2010-12-14
IPC分类号： H01L23/532
CPC分类号： H01L21/76879 , H01L21/288 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L23/53257 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Embodiments of apparatus and methods for forming dual metal interconnects are described herein. Other embodiments may be described and claimed.
摘要翻译： 本文描述了用于形成双金属互连的装置和方法的实施例。 可以描述和要求保护其他实施例。
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2.发明授权Dual metal interconnects for improved gap-fill, reliability, and reduced capacitance 有权双金属互连，可提高间隙填充，可靠性和降低电容公开(公告)号：US07867891B2
公开(公告)日：2011-01-11
申请号：US12316304
申请日：2008-12-10
IPC分类号： H01L21/4763 , H01L21/44
CPC分类号： H01L21/76879 , H01L21/288 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L23/53257 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Embodiments of apparatus and methods for forming dual metal interconnects are described herein. Other embodiments may be described and claimed.
摘要翻译： 本文描述了用于形成双金属互连的装置和方法的实施例。 可以描述和要求保护其他实施例。
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3.发明申请Dual metal interconnects for improved gap-fill, reliability, and reduced capacitance 有权双金属互连，可提高间隙填充，可靠性和降低电容公开(公告)号：US20100140804A1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：US12316304
申请日：2008-12-10
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/4763 , H01L21/44
CPC分类号： H01L21/76879 , H01L21/288 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L23/53257 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Embodiments of apparatus and methods for forming dual metal interconnects are described herein. Other embodiments may be described and claimed.
摘要翻译： 本文描述了用于形成双金属互连的装置和方法的实施例。 可以描述和要求保护其他实施例。
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