公开(公告)号：US07335606B2

公开(公告)日：2008-02-26

申请号：US10799705

申请日：2004-03-15

申请人： Dongzhi Chi ,  Tek Po Rinus ,  Soo Jin Chua

发明人： Dongzhi Chi ,  Tek Po Rinus ,  Soo Jin Chua

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/28518

摘要： A NiSi layer over silicon that is thermally stable and can form even in the presence of oxides. The method of fabricating the nickel silicide layer includes providing a substrate comprising silicon, depositing a layer of at least a 3-component metal alloy comprising nickel on a surface of the substrate, and annealing the alloy and the substrate. The annealing temperature is less than 1000° C. The 3-component metal alloy can include Ni, Ti and Pt.

摘要翻译： 在硅上的NiSi层是热稳定的并且甚至可以在氧化物的存在下形成。 制造硅化镍层的方法包括提供包括硅的衬底，在衬底的表面上沉积包含镍的至少一种3组分金属合金层，并退火该合金和衬底。 退火温度小于1000℃.3组分金属合金可以包括Ni，Ti和Pt。