公开(公告)号：US07291285B2

公开(公告)日：2007-11-06

申请号：US11125696

申请日：2005-05-10

申请人： Gary Walter Behm ,  Teresita Quitua Magtoto ,  Rajiv M. Ranade

发明人： Gary Walter Behm ,  Teresita Quitua Magtoto ,  Rajiv M. Ranade

IPC分类号： G01L21/30

CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01J37/32935

摘要： A method and system for controlling a dimension of an etched feature. The method includes: measuring a mask feature formed on a top surface of a layer on a substrate to obtain a mask feature dimension value; and calculating a mask trim plasma etch time based on the mask feature dimension value, a mask feature dimension target value, a total of selected radio frequency power-on times of a plasma etch tool since an event occurring to a chamber or chambers of a plasma etch tool for plasma etching the layer, and an etch bias target for a layer feature to be formed from the layer where the layer is not protected by the mask feature during a plasma etch of the layer.

摘要翻译： 一种用于控制蚀刻特征尺寸的方法和系统。 该方法包括：测量形成在基板上的层的顶表面上的掩模特征以获得掩模特征尺寸值; 以及基于掩模特征尺寸值，掩模特征尺寸目标值，等离子体蚀刻工具的选定的射频加电时间的总和，计算掩模修整等离子体蚀刻时间，因为发生到等离子体的室或室的事件 用于等离子体蚀刻该层的蚀刻工具，以及用于在该层的等离子体蚀刻期间该层不被掩模特征保护的层形成的层特征的蚀刻偏置目标。

公开(公告)号：US07700378B2

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：US11872098

申请日：2007-10-15

申请人： Gary Walter Behm ,  Teresita Quitua Magtoto ,  Rajiv M. Ranade

发明人： Gary Walter Behm ,  Teresita Quitua Magtoto ,  Rajiv M. Ranade

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01J37/32935

摘要： A method and system for controlling a dimension of an etched feature. The method includes: measuring a mask feature formed on a top surface of a layer on a substrate to obtain a mask feature dimension value; and calculating a mask trim plasma etch time based on the mask feature dimension value, a mask feature dimension target value, a total of selected radio frequency power-on times of a plasma etch tool since an event occurring to a chamber or chambers of a plasma etch tool for plasma etching the layer, and an etch bias target for a layer feature to be formed from the layer where the layer is not protected by the mask feature during a plasma etch of the layer.

摘要翻译： 一种用于控制蚀刻特征尺寸的方法和系统。 该方法包括：测量形成在基板上的层的顶表面上的掩模特征以获得掩模特征尺寸值; 以及基于掩模特征尺寸值，掩模特征尺寸目标值，等离子体蚀刻工具的选定的射频加电时间的总和，计算掩模修整等离子体蚀刻时间，因为发生到等离子体的室或室的事件 用于等离子体蚀刻该层的蚀刻工具，以及用于在该层的等离子体蚀刻期间该层不被掩模特征保护的层形成的层特征的蚀刻偏置目标。