公开(公告)号：US20080008642A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11661013

申请日：2005-08-24

申请人： Yusuke Mori ,  Takatamo Sasaki ,  Fumio Kawamura ,  Yoshimura Masashi ,  Minoru Kawahara ,  Hiroaki Isobe

发明人： Yusuke Mori ,  Takatamo Sasaki ,  Fumio Kawamura ,  Yoshimura Masashi ,  Minoru Kawahara ,  Hiroaki Isobe

IPC分类号： C01B21/072 ,  C30B29/38 ,  C30B9/10

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B9/10

摘要： The present invention provides a method for producing aluminum nitride crystals under mild pressure and temperature conditions. In the production method of aluminum nitride crystals, aluminum nitride crystals are formed and grown in the presence of nitrogen-containing gas by allowing aluminum and the nitrogen to react with each other in a flux containing the following component (A) and component (B), or a flux containing the following component (B). (A) At least one element selected from the group consisting of the alkali metal and the alkaline-earth metal. (B) At least one element selected from the group consisting of tin (Sn), gallium (Ga), indium (In), bismuth (Bi) and mercury (Hg).

摘要翻译： 本发明提供了在温和的压力和温度条件下制备氮化铝晶体的方法。 在氮化铝晶体的制造方法中，通过使含有以下成分（A）和成分（B）的助熔剂中的铝和氮彼此反应，在含氮气体的存在下，形成氮化铝晶体， ，或含有以下组分（B）的助熔剂。 （A）选自由碱金属和碱土金属组成的组中的至少一种元素。 （B）选自锡（Sn），镓（Ga），铟（In），铋（Bi）和汞（Hg）中的至少一种元素。