公开(公告)号：US20130009192A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：US13368043

申请日：2012-02-07

申请人： Hyun Wook Shim ,  Dong Ju Lee ,  Dong Ik Shin ,  Young Sun Kim ,  Makoto Asai ,  Yu Ri Sohn

发明人： Hyun Wook Shim ,  Dong Ju Lee ,  Dong Ik Shin ,  Young Sun Kim ,  Makoto Asai ,  Yu Ri Sohn

IPC分类号： H01L33/30

CPC分类号： H01L33/025 ,  H01L29/452 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： Provided is a nitride semiconductor light emitting device including p-type nitride semiconductor layer, an n-type nitride semiconductor layer, and an active layer formed therebetween. A contact layer is positioned between the p-type nitride semiconductor layer and a p-side electrode. The contact layer includes a first p-type nitride layer having a first impurity concentration to form ohmic contact with the p-side electrode and a second p-type nitride layer having a second impurity concentration, the second impurity concentration having a concentration lower than the first impurity concentration.

摘要翻译： 提供了包括p型氮化物半导体层，n型氮化物半导体层和在它们之间形成的有源层的氮化物半导体发光器件。 接触层位于p型氮化物半导体层和p侧电极之间。 接触层包括具有第一杂质浓度以与p侧电极欧姆接触的第一p型氮化物层和具有第二杂质浓度的第二p型氮化物层，第二杂质浓度的浓度低于 第一杂质浓度。