公开(公告)号：US6025769A

公开(公告)日：2000-02-15

申请号：US723444

申请日：1996-10-07

申请人： Ching-wu Chu ,  Yuyi Xue ,  Li Gao ,  Ruling Meng ,  Diego Alberto Ramirez

发明人： Ching-wu Chu ,  Yuyi Xue ,  Li Gao ,  Ruling Meng ,  Diego Alberto Ramirez

IPC分类号： H01F6/00 ,  H01F1/00

CPC分类号： H01F6/00

摘要： A trapped field magnet formed of a high temperature type II superconductor material is disclosed. The trapped field magnet is formed of a plurality of relatively small, single-grain superconductive elements. Optimal shaped of these elements is in a regular truncated cone wherein the half cone angle is 55.degree., and the optimal orientation of each single-grain superconducting elements is an angle of .phi..sub.m with respect to the axis perpendicular to the upper and lower surface of the element, wherein the .phi..sub.m =3 sin .theta. cos .theta./(3 cos.sup.2 .theta.-1) and .theta. determines the location of the element.

摘要翻译： 公开了由高温II型超导体材料形成的俘获场磁体。 捕获的场磁体由多个相对较小的单晶超导元件形成。 这些元件的最佳形状为正锥形锥形，其中半锥角为55°，并且每个单晶超导元件的最佳取向相对于垂直于上表面和下表面的轴的角度 元素，其中phi =3sinθcosθ/（3cos2θ-1）和θ决定元件的位置。

公开(公告)号：US5563564A

公开(公告)日：1996-10-08

申请号：US52360

申请日：1993-04-22

申请人： Ching-Wu Chu ,  Yuyi Xue ,  Li Gao ,  Ruling Meng ,  Diego A. Ramirez

发明人： Ching-Wu Chu ,  Yuyi Xue ,  Li Gao ,  Ruling Meng ,  Diego A. Ramirez

IPC分类号： H01F6/00 ,  H01F1/00 ,  H01B12/00

CPC分类号： H01F6/00

摘要： A trapped field magnet formed of a high temperature type II superconductor material is disclosed. The trapped field magnet is formed of a plurality of relatively small, single-grain superconductive elements. Optimal shaped of these elements is in a regular truncated cone wherein the half cone angle is 55.degree., and the optimal orientation of each single-grain superconducting elements is an angle of .phi..sub.m with respect to the axis perpendicular to the upper and lower surface of the element, wherein the .phi..sub.m =3 sin.theta.cos.theta./(3 cos.sup.2 .theta.0-1) and .theta. determines the location of the element (FIG. 3a).

摘要翻译： 公开了由高温II型超导体材料形成的俘获场磁体。 捕获的场磁体由多个相对较小的单晶超导元件形成。 这些元件的最佳形状为正锥形锥形，其中半锥角为55°，并且每个单晶超导元件的最佳取向相对于垂直于上表面和下表面的轴的角度 该元件，其中phi =3sinθcosθ/（3cos2θ0-1）和θ决定元件的位置（图3a）。