公开(公告)号：US08277904B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12845779

申请日：2010-07-29

申请人： Wei-Sheng Su ,  Chia-Hung Kuo ,  Ya-Wen Chou ,  Jie-Ren Ku ,  Ming-Shan Jeng ,  Chii-Shyang Hwang ,  Zong-Hao Wu

发明人： Wei-Sheng Su ,  Chia-Hung Kuo ,  Ya-Wen Chou ,  Jie-Ren Ku ,  Ming-Shan Jeng ,  Chii-Shyang Hwang ,  Zong-Hao Wu

IPC分类号： B27C71/02 ,  B05D3/10 ,  B05D1/18

CPC分类号： H01B1/16 ,  B22F1/025 ,  B22F3/105 ,  B22F2999/00 ,  C23C18/1635 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/44 ,  B22F2202/13

摘要： A method for producing a thermoelectric material is provided. A semiconductor material powder is provided. An electroless plating process is preformed to deposit metal nano-particles on the surface of semiconductor material powder. An electrical current activated sintering process is performed to form a thermoelectric material having one and plurality grain boundaries.

摘要翻译： 提供一种制造热电材料的方法。 提供半导体材料粉末。 进行化学镀处理以在半导体材料粉末的表面上沉积金属纳米颗粒。 进行电流活化烧结工艺以形成具有一个和多个晶界的热电材料。

公开(公告)号：US20110223350A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US12845779

申请日：2010-07-29

申请人： Wei-Sheng Su ,  Chia-Hung Kuo ,  Ya-Wen Chou ,  Jie-Ren Ku ,  Ming-Shan Jeng ,  Chii-Shyang Hwang ,  Zong-Hao Wu

发明人： Wei-Sheng Su ,  Chia-Hung Kuo ,  Ya-Wen Chou ,  Jie-Ren Ku ,  Ming-Shan Jeng ,  Chii-Shyang Hwang ,  Zong-Hao Wu

IPC分类号： B05D3/14 ,  H05H1/00

CPC分类号： H01B1/16 ,  B22F1/025 ,  B22F3/105 ,  B22F2999/00 ,  C23C18/1635 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/44 ,  B22F2202/13

摘要： A method for producing a thermoelectric material is provided. A semiconductor material powder is provided. An electroless plating process is preformed to deposit metal nano-particles on the surface of semiconductor material powder. An electrical current activated sintering process is performed to form a thermoelectric material having one and plurality grain boundaries.

摘要翻译： 提供一种制造热电材料的方法。 提供半导体材料粉末。 进行化学镀处理以在半导体材料粉末的表面上沉积金属纳米颗粒。 进行电流激活烧结工艺以形成具有一个和多个晶界的热电材料。