公开(公告)号：US20150144154A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：US14522864

申请日：2014-10-24

Applicant: Applied Materials, Inc.

Inventor： Kee Young CHO ,  Sang Wook KIM ,  Joo Won HAN ,  Han Soo CHO

IPC: B08B7/00

CPC classification number: B08B7/0035 ,  C11D11/0041 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32862

Abstract: Embodiments of the disclosure generally relate to methods of removing etch by-products from the plasma processing chamber using carbon monoxide or carbon dioxide. In one embodiment, a method for dry cleaning a processing chamber includes exposing a chamber component disposed within the processing chamber in absence of a substrate disposed therein to a first cleaning gas mixture comprising carbon monoxide or carbon dioxide, wherein a portion of the chamber component has a film layer or residues deposited thereon, and the film layer or residues comprises a refractory metal and/or a metal silicide.

Abstract translation: 本公开的实施方案一般涉及使用一氧化碳或二氧化碳从等离子体处理室去除蚀刻副产物的方法。 在一个实施例中，一种用于干燥处理室的方法包括在不存在设置在其中的基板的情况下将设置在处理室内的室部件曝光到包含一氧化碳或二氧化碳的第一清洁气体混合物中，其中室部件的一部分具有 沉积在其上的膜层或残余物，并且所述膜层或残余物包含难熔金属和/或金属硅化物。