公开(公告)号：US07684231B2

公开(公告)日：2010-03-23

申请号：US11609631

申请日：2006-12-12

申请人： Atsushi Hayashi ,  Shunsaku Tokito ,  Hiroshi Yoshihara ,  Yuuki Fujiyama

发明人： Atsushi Hayashi ,  Shunsaku Tokito ,  Hiroshi Yoshihara ,  Yuuki Fujiyama

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C7/22 ,  G11C2207/2227

摘要： Methods and apparatus provide for controlling an SRAM memory, the SRAM memory including a plurality of memory cells arranged in an array of rows (word lines) and columns (bit lines), comprising: inverting a state of data for input to one or more columns of the array; and storing the inverted data in one or more memory cells of the one or more columns.

摘要翻译： 方法和装置提供用于控制SRAM存储器，SRAM存储器包括以行（字线）和列（位线）排列的多个存储单元，包括：将用于输入的数据的状态反转到一个或多个列 的阵列; 以及将所述反转的数据存储在所述一个或多个列的一个或多个存储单元中。

公开(公告)号：US20080137451A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11609631

申请日：2006-12-12

申请人： Atsushi Hayashi ,  Shunsaku Tokito ,  Hiroshi Yoshihara ,  Yuuki Fujiyama

发明人： Atsushi Hayashi ,  Shunsaku Tokito ,  Hiroshi Yoshihara ,  Yuuki Fujiyama

IPC分类号： G11C7/10

CPC分类号： G11C7/22 ,  G11C2207/2227

摘要： Methods and apparatus provide for controlling an SRAM memory, the SRAM memory including a plurality of memory cells arranged in an array of rows (word lines) and columns (bit lines), comprising: inverting a state of data for input to one or more columns of the array; and storing the inverted data in one or more memory cells of the one or more columns.

摘要翻译： 方法和装置提供用于控制SRAM存储器，SRAM存储器包括以行（字线）和列（位线）排列的多个存储单元，包括：将用于输入的数据的状态反转到一个或多个列 的阵列; 以及将所述反转的数据存储在所述一个或多个列的一个或多个存储单元中。