公开(公告)号：US20110223688A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US13129892

申请日：2009-12-02

申请人： Bill Sinclair ,  Jens Schmid ,  Philip Waldron ,  Dan-Xia Xu ,  Adam Densmore ,  Trevor Mischki ,  Greg Lopointe ,  Jean Lapointe ,  Daniel Poitras ,  Siegfried Janz

发明人： Bill Sinclair ,  Jens Schmid ,  Philip Waldron ,  Dan-Xia Xu ,  Adam Densmore ,  Trevor Mischki ,  Greg Lopointe ,  Jean Lapointe ,  Daniel Poitras ,  Siegfried Janz

IPC分类号： G01N33/566 ,  G01N30/00

CPC分类号： G01N33/54373 ,  G01N21/7743 ,  G01N33/551 ,  Y10S435/808 ,  Y10S436/805

摘要： A technique for high sensitivity evanescent field molecular sensing employs a detection scheme that simultaneously couples a polarized beam to a single mode of a waveguide, and couples the polarized beam out of the waveguide to specularly reflect the beam by the same grating. Strong interaction with the single (preferably TM) mode is provided by using a silicon on insulator (SOI) wafer having a waveguide thickness chosen between 10-400 nm so that the majority of the mode field strength spans the evanescent field. Well known, robust techniques for producing a grating on the waveguide are provided. Interrogation from a backside of the SOI wafer is taught.

摘要翻译： 用于高灵敏度渐逝场分子感测的技术采用同时将偏振光束耦合到波导的单个模式并将偏振光束耦合到波导外的检测方案，以通过相同的光栅镜像反射光束。 通过使用波导厚度选择在10-400nm之间的绝缘体上硅（SOI）晶片来提供与单一（优选TM）模式的强相互作用，使得大部分模场电场强度跨越ev逝场。 众所周知，提供了用于在波导上制造光栅的可靠的技术。 教授SOI晶片背面的询问。