-
1.发明申请公开(公告)号：US20090152511A1
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：US12243379
申请日：2008-10-01
申请人： Bon Kyung KOO , Han Ho Yoon , Ju Ok Park , Hyung Ryul Park , Hyun Su Kim , Sung Ryong Choi , Joong Ryeol Choi , Pung Keun Song , Joon Hong Park
发明人： Bon Kyung KOO , Han Ho Yoon , Ju Ok Park , Hyung Ryul Park , Hyun Su Kim , Sung Ryong Choi , Joong Ryeol Choi , Pung Keun Song , Joon Hong Park
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/457 , C04B2235/3224 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/77 , C23C14/086
摘要： Disclosed are an indium Tin Oxide (ITO) target, a method for manufacturing the same, a transparent conductive film of ITO, and a method for manufacturing the transparent conductive film of ITO. The ITO target includes at least one oxide selected from the group consisting of Sm2O3 and Yb2O3, wherein an amount of the oxide is about 0.5 wt. % to about 10 wt. % based on the weight of the target.
摘要翻译： 公开了一种氧化铟锡（ITO）靶，其制造方法，ITO的透明导电膜以及ITO的透明导电膜的制造方法。 ITO靶包括选自Sm 2 O 3和Yb 2 O 3中的至少一种氧化物，其中氧化物的量为约0.5重量％。 ％至约10wt。 基于目标的重量％。
-
2.发明授权公开(公告)号：US08372314B2
公开(公告)日：2013-02-12
申请号：US12953969
申请日：2010-11-24
申请人： Bon kyung Koo , Han Ho Yoon , Ju Ok Park , Hyung Ryul Park , Hyun Su Kim , Sung Ryong Choi , Joong Ryeol Choi , Pung Keun Song , Joon-Hong Park
发明人： Bon kyung Koo , Han Ho Yoon , Ju Ok Park , Hyung Ryul Park , Hyun Su Kim , Sung Ryong Choi , Joong Ryeol Choi , Pung Keun Song , Joon-Hong Park
IPC分类号： H01B1/08
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/457 , C04B2235/3224 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/77 , C23C14/086
摘要： Disclosed are an indium Tin Oxide (ITO) target, a method for manufacturing the same, a transparent conductive film of ITO, and a method for manufacturing the transparent conductive film of ITO. The ITO target includes at least one oxide selected from the group consisting of Sm2O3 and Yb2O3, wherein an amount of the oxide is about 0.5 wt. % to about 10 wt. % based on the weight of the target.
摘要翻译： 公开了一种氧化铟锡（ITO）靶，其制造方法，ITO的透明导电膜以及ITO的透明导电膜的制造方法。 ITO靶包括选自Sm 2 O 3和Yb 2 O 3中的至少一种氧化物，其中氧化物的量为约0.5重量％。 ％至约10wt。 基于目标的重量％。
-
3.发明申请公开(公告)号：US20110068003A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：US12953969
申请日：2010-11-24
申请人： Bon Kyung KOO , Han Ho Yoon , Ju Ok Park , Hyung Ryul Park , Hyun Su Kim , Sung Ryong Choi , Joong Ryeol Choi , Pung Keun Song , Joon-Hong Park
发明人： Bon Kyung KOO , Han Ho Yoon , Ju Ok Park , Hyung Ryul Park , Hyun Su Kim , Sung Ryong Choi , Joong Ryeol Choi , Pung Keun Song , Joon-Hong Park
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/457 , C04B2235/3224 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/77 , C23C14/086
摘要： Disclosed are an indium Tin Oxide (ITO) target, a method for manufacturing the same, a transparent conductive film of ITO, and a method for manufacturing the transparent conductive film of ITO. The ITO target includes at least one oxide selected from the group consisting of Sm2O3 and Yb2O3, wherein an amount of the oxide is about 0.5 wt. % to about 10 wt. % based on the weight of the target.
摘要翻译： 公开了一种氧化铟锡（ITO）靶，其制造方法，ITO的透明导电膜以及ITO的透明导电膜的制造方法。 ITO靶包括选自Sm 2 O 3和Yb 2 O 3中的至少一种氧化物，其中氧化物的量为约0.5重量％。 ％至约10wt。 基于目标的重量％。
-
4.发明授权公开(公告)号：US07862748B2
公开(公告)日：2011-01-04
申请号：US12243379
申请日：2008-10-01
申请人： Bon Kyung Koo , Han Ho Yoon , Ju Ok Park , Hyung Ryul Park , Hyun Su Kim , Sung Ryong Choi , Joong Ryeol Choi , Pung Keun Song , Joon-Hong Park
发明人： Bon Kyung Koo , Han Ho Yoon , Ju Ok Park , Hyung Ryul Park , Hyun Su Kim , Sung Ryong Choi , Joong Ryeol Choi , Pung Keun Song , Joon-Hong Park
IPC分类号： H01B1/08
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/457 , C04B2235/3224 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/77 , C23C14/086
摘要： Disclosed are an indium Tin Oxide (ITO) target, a method for manufacturing the same, a transparent conductive film of ITO, and a method for manufacturing the transparent conductive film of ITO. The ITO target includes at least one oxide selected from the group consisting of Sm2O3 and Yb2O3, wherein an amount of the oxide is about 0.5 wt. % to about 10 wt. % based on the weight of the target.
摘要翻译： 公开了一种氧化铟锡（ITO）靶，其制造方法，ITO的透明导电膜以及ITO的透明导电膜的制造方法。 ITO靶包括选自Sm 2 O 3和Yb 2 O 3中的至少一种氧化物，其中氧化物的量为约0.5重量％。 ％至约10wt。 基于目标的重量％。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.035 秒)
