公开(公告)号：US20130264533A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：US13442046

申请日：2012-04-09

申请人： CHEONG Min HONG ,  Ko-Min Chang ,  Feng Zhou

发明人： CHEONG Min HONG ,  Ko-Min Chang ,  Feng Zhou

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L45/1633 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A resistive random access memory (ReRAM) includes a first metal layer having a first metal and a metal-oxide layer on the first metal layer. The metal-oxide layer inlcudes the first metal. The ReRAM further includes a second metal layer over the metal-oxide layer and a first continuous conductive barrier layer in physical contact with sidewalls of the first metal layer and of the metal-oxide layer.

摘要翻译： 电阻式随机存取存储器（ReRAM）包括在第一金属层上具有第一金属和金属氧化物层的第一金属层。 金属氧化物层包含第一金属。 ReRAM还包括在金属氧化物层上的第二金属层和与第一金属层和金属氧化物层的侧壁物理接触的第一连续导电阻挡层。