公开(公告)号：US20040131952A1

公开(公告)日：2004-07-08

申请号：US10687652

申请日：2003-10-20

申请人： CREO SRL

发明人： Glenn Harrison Chapman ,  Marinko Venci Sarunic ,  Yugiang Tu

IPC分类号： G03F009/00

CPC分类号： G03F7/0042

摘要： A thermal inorganic resist for lithographic processes and image creation is disclosed. In one embodiment an In layer of 15 nm is deposited, followed by a Bi layer of 15 nm. Upon exposure to a optical light pulse of sufficient intensity the optical absorption heats the film above the eutectic melting point (110null C. for BiIn) and the resist forms an alloy in the exposed area, replicating patterns projected on its surface. Optical characteristics of the alloyed layers are in these resists typically different from the unexposed layers creating a visual image of the exposure pattern before the development etch aiding in exposure control. The resist layer is then stripped, leaving the pattern layer on the substrate. In resists showing significant optical differences (such as BiIn) after exposure this same material can be used to create images for data storage, and, when transparent, photomasks for optical lithography.

摘要翻译： 公开了一种用于光刻工艺和图像创建的热无机抗蚀剂。 在一个实施例中，沉积15nm的In层，接着是15nm的Bi层。 当暴露于足够强度的光学脉冲时，光学吸收将膜高于共晶熔点（BiIn的110℃），并且抗蚀剂在曝光区域中形成合金，复制在其表面上投射的图案。 合金层的光学特性在这些抗蚀剂中通常不同于未曝光层，在曝光控制之前产生曝光图案的视觉图像。 然后剥离抗蚀剂层，使图案层留在衬底上。 在曝光后显示出显着的光学差异的抗蚀剂（例如BiIn）中，可以使用相同的材​​料来创建用于数据存储的图像，并且当透明时用于光学光刻的光掩模。