公开(公告)号：US20060063075A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US10905607

申请日：2005-01-12

申请人： Chan-Ha Park

发明人： Chan-Ha Park

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03B27/42 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F7/70441 ,  G03F1/36

摘要： A layout of vertical patterns in a mask used in a dipole exposure apparatus employing a dipole as an aperture, including the vertical patterns disposed vertically to the dipole, and tabs, having critical dimensions broader than those of the vertical patterns, crossing edges of the vertical patterns. The tabs having critical dimensions broader than those of the vertical patterns are additionally inserted into the edges of the vertical patterns disposed vertically to the dipole, thereby minimizing the difference in critical dimensions between central and edge portions of the vertical patterns so that the vertical patterns maintain uniform fine critical dimensions.

摘要翻译： 在使用偶极子作为孔径的偶极子曝光装置中使用的掩模中的垂直图案的布局，包括垂直于偶极子垂直设置的垂直图案，以及具有比垂直图案的临界尺寸更宽的垂直图案的横向图案， 模式。 具有比垂直图案的尺寸更宽的临界尺寸的突片另外插入到垂直于偶极子设置的垂直图案的边缘中，从而最小化垂直图案的中心部分和边缘部分之间的临界尺寸的差异，使得垂直图案保持 均匀的细关键尺寸。