公开(公告)号：US20070096652A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11163715

申请日：2005-10-28

申请人： Chao-Jen Chang ,  Wen-Yu Liu ,  Chien-Hsiu Hsu ,  Lu-Yi Yang

发明人： Chao-Jen Chang ,  Wen-Yu Liu ,  Chien-Hsiu Hsu ,  Lu-Yi Yang

IPC分类号： H01J17/49 ,  G02F1/1339

CPC分类号： H01J9/242 ,  H01J2211/36

摘要： A method for fabricating a step-formed patterned layer is provided. First, a first patterned photo-resist dry film is formed on a first material layer. Next, a second material layer is formed on the first material layer and covers the first patterned photo-resist dry film. A second patterned photo-resist dry film is then formed on a second material layer, and the patterns of the first patterned photo-resist dry film and the second patterned photo-resist dry film are different and the second patterned photo-resist dry film further exposes the second material layer over the first patterned photo-resist dry film. Subsequently, the first material layer and the second material layer are partially removed by using the first patterned photo-resist dry film and the second patterned photo-resist dry film as a mask. The first patterned photo-resist dry film and the second patterned photo-resist dry film are then removed.

摘要翻译： 提供了一种制造阶梯形图案层的方法。 首先，在第一材料层上形成第一图案的光致抗蚀剂干膜。 接下来，在第一材料层上形成第二材料层并覆盖第一图案化光致抗蚀剂干膜。 然后在第二材料层上形成第二图案化光致抗蚀剂干膜，并且第一图案化光致抗蚀剂干膜和第二图案化光致抗蚀剂干膜的图案不同，并且第二图案化光致抗蚀剂干膜进一步 将第二材料层暴露在第一图案化光致抗蚀剂干膜上。 随后，通过使用第一图案化抗蚀剂干膜和第二图案化光致抗蚀剂干膜作为掩模来部分地去除第一材料层和第二材料层。 然后除去第一图案光刻胶干膜和第二图案光刻胶干膜。