公开(公告)号：US20050100829A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10605968

申请日：2003-11-10

申请人： Chin-Lung Lin ,  Chuen Huei Yang ,  Ming-Jui Chen ,  Venson Lee

发明人： Chin-Lung Lin ,  Chuen Huei Yang ,  Ming-Jui Chen ,  Venson Lee

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F7/70283 ,  G03F1/34

摘要： A lithography method for forming a plurality of patterns in a photoresist layer. A phase shift mask including a plurality of transparent main features, a plurality of first phase shift transparent regions, and a plurality of second phase shift transparent regions is provided. Each transparent main feature is surrounded by the first phase shift transparent regions and the second phase shift transparent regions interlaced contiguously along a periphery of the transparent main feature. Each of the first phase shift transparent regions has a phase shift relative to each of the second phase shift transparent regions. An exposure process is performed to irradiate the phase shift mask with light so that the patterns corresponding to the transparent main features are formed in the photoresist layer.

摘要翻译： 一种用于在光致抗蚀剂层中形成多个图案的光刻方法。 提供了包括多个透明主要特征，多个第一相移透明区域和多个第二相移透明区域的相移掩模。 每个透明主要特征被第一相移透明区域包围，而第二相移透明区域沿着透明主要特征的周边连续交错。 第一相移透明区域中的每一个相对于第二相移透明区域中的每一个具有相移。 执行曝光处理以用光照射相移掩模，使得在光致抗蚀剂层中形成对应于透明主要特征的图案。

公开(公告)号：US07312020B2

公开(公告)日：2007-12-25

申请号：US10605968

申请日：2003-11-10

申请人： Chin-Lung Lin ,  Chuen Huei Yang ,  Ming-Jui Chen ,  Venson Lee

发明人： Chin-Lung Lin ,  Chuen Huei Yang ,  Ming-Jui Chen ,  Venson Lee

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F7/70283 ,  G03F1/34

摘要： A lithography method for forming a plurality of patterns in a photoresist layer. A phase shift mask including a plurality of transparent main features, a plurality of first phase shift transparent regions, and a plurality of second phase shift transparent regions is provided. Each transparent main feature is surrounded by the first phase shift transparent regions and the second phase shift transparent regions interlaced contiguously along a periphery of the transparent main feature. Each of the first phase shift transparent regions has a phase shift relative to each of the second phase shift transparent regions. An exposure process is performed to irradiate the phase shift mask with light so that the patterns corresponding to the transparent main features are formed in the photoresist layer.

摘要翻译： 一种用于在光致抗蚀剂层中形成多个图案的光刻方法。 提供了包括多个透明主要特征，多个第一相移透明区域和多个第二相移透明区域的相移掩模。 每个透明主要特征被第一相移透明区域包围，而第二相移透明区域沿着透明主要特征的周边连续交错。 第一相移透明区域中的每一个相对于第二相移透明区域中的每一个具有相移。 执行曝光处理以用光照射相移掩模，使得在光致抗蚀剂层中形成对应于透明主要特征的图案。