公开(公告)号：US06730573B1

公开(公告)日：2004-05-04

申请号：US10286257

申请日：2002-11-01

申请人： Chit Hwei Ng ,  Chaw Sing Ho ,  Lup San Leong ,  Shao Kai ,  Raymond Jacob Joy ,  Sanford Chu ,  Sajan Marokkey Raphael

发明人： Chit Hwei Ng ,  Chaw Sing Ho ,  Lup San Leong ,  Shao Kai ,  Raymond Jacob Joy ,  Sanford Chu ,  Sajan Marokkey Raphael

IPC分类号： H01L2120

CPC分类号： H01L28/24 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/0682 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An improved process for fabricating simultaneously high capacitance, less than 0.13 micron metal-insulator-metal capacitors, metal resistors and metal interconnects, has been developed using single or dual damascene processing. The key advantage is the use of only one additional mask reticle to form both MIM capacitor and resistor, simultaneously. Several current obstacles that exist in BEOL, back end of line, are overcome, namely: (a) the use of two or more photo-masks to make

摘要翻译： 已经开发了使用单镶嵌或双镶嵌加工制造同时高容量，小于0.13微米的金属 - 绝缘体 - 金属电容器，金属电阻器和金属互连的改进方法。 关键的优点是同时使用一个额外的掩模掩模版同时形成MIM电容和电阻。 克服了BEOL后端存在的几个当前的障碍，即：（a）使用两个或更多个光掩膜使<0.13μm的MIM电容器，（b）凹凸的铜表面，当电介质直接沉积时 （c）当在底部MIM板层上尝试蚀刻停止时，（c）蚀刻期间的颗粒产生问题，最后，（d）在需要大的铜MIM板时发生CMP期间的凹陷，随后的电容匹配问题。 该集成方法克服了上述障碍，同时使用镶嵌处理形成MIM电容器，金属电阻器和金属互连。 此外，本文所述的形成MIM电容器的方法也可用于在现场可编程门阵列FPGA中形成反熔丝器件。