公开(公告)号：US20130002520A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13431142

申请日：2012-03-27

申请人： Choon Gi CHOI ,  Muhan CHOI ,  Sung-Yool CHOI

发明人： Choon Gi CHOI ,  Muhan CHOI ,  Sung-Yool CHOI

IPC分类号： H01Q15/02 ,  B29C41/22

CPC分类号： H01Q15/0086 ,  Y10S977/734

摘要： Provided are an active metamaterial device operating at a high speed and a manufacturing method thereof. The active metamaterial device includes a first dielectric layer, a lower electrode disposed on the first dielectric layer, a second dielectric layer disposed on the lower electrode, metamaterial patterns disposed on the second dielectric layer, a couple layer disposed on the metamaterial patterns and the second dielectric layer, a third dielectric layer disposed on the couple layer, and an upper electrode disposed on the third dielectric layer.

摘要翻译： 提供了以高速运转的活性超材料装置及其制造方法。 活性超材料装置包括第一电介质层，设置在第一电介质层上的下电极，设置在下电极上的第二电介质层，设置在第二电介质层上的超材料图案，设置在超材料图案上的耦合层，第二介电层 电介质层，设置在所述耦合层上的第三电介质层，以及设置在所述第三电介质层上的上电极。