公开(公告)号：US08879221B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13406537

申请日：2012-02-28

申请人： Da-Wei Lai ,  Mahadeva Iyer Natarajan ,  Manjunatha Govinda Prabhu ,  Ryan Shan

发明人： Da-Wei Lai ,  Mahadeva Iyer Natarajan ,  Manjunatha Govinda Prabhu ,  Ryan Shan

IPC分类号： H02H9/04 ,  H02H3/20

CPC分类号： H02H9/046 ,  Y10T29/49117

摘要： A device having an ESD module is disclosed. The ESD module includes an ESD circuit coupled between first and second rails and a control circuit coupled between the rails and to the ESD circuit. When the control circuit senses an ESD event, it causes the ESD circuit to create a current path between the rails to dissipate ESD current. When no ESD event is sensed, the control circuit ensures that no current path is created between the rails to prevent latch-up.

摘要翻译： 公开了具有ESD模块的装置。 ESD模块包括耦合在第一和第二导轨之间的ESD电路和耦合在轨道和ESD电路之间的控制电路。 当控制电路感测到ESD事件时，会使ESD电路在轨道之间产生电流路径，以消耗ESD电流。 当没有感测到ESD事件时，控制电路确保在轨道之间不产生电流路径以防止闩锁。

公开(公告)号：US08964341B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13457453

申请日：2012-04-26

申请人： Manjunatha Govinda Prabhu ,  Mahadeva Iyer Natarajan ,  Da-Wei Lai ,  Ryan Shan

发明人： Manjunatha Govinda Prabhu ,  Mahadeva Iyer Natarajan ,  Da-Wei Lai ,  Ryan Shan

IPC分类号： H02H9/04 ,  H02H3/20

CPC分类号： H01L27/0248 ,  H02H9/046

摘要： Protecting a gate dielectric is achieved with a gate dielectric protection circuit coupled to a transistor at risk. The protection circuit is activated to reduce the voltage across the gate dielectric (VDIFF) to below its breakdown voltage (VBD). The protection circuit is activated when an ESD event is detected. The protection circuit provides a protection or ESD bias to reduce VDIFF below VBD.

摘要翻译： 栅极电介质的保护是通过栅极电介质保护电路来实现的，该栅极介质保护电路与处于危险中的晶体管耦合。 激活保护电路以将栅极电介质（VDIFF）上的电压降低到其击穿电压（VBD）以下。 当检测到ESD事件时，保护电路被激活。 保护电路提供保护或ESD偏置，以将VDIFF降低到低于VBD。