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    DEMODULATION CIRCUIT
    1.
    发明申请
    DEMODULATION CIRCUIT 有权
    解调电路

    公开(公告)号：US20090243716A1

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：US12482224

    申请日：2009-06-10

    申请人： Daisuke YAMAZAKI ,  Andrzej Radecki

    发明人： Daisuke YAMAZAKI ,  Andrzej Radecki

    IPC分类号： H03D1/18

    CPC分类号： H03D1/18 ,  H03D1/10 ,  H04L27/06

    摘要： A demodulation circuit, including: an input terminal (IN) inputting a current amplitude modulated signal; a first transistor (101) connected to the input terminal; a capacitance (105) connected to a control terminal of the first transistor; a diode (102) connected between the input terminal and the control terminal of the first transistor; and a first current source (104) applying a current of the input terminal, is provided.

    摘要翻译： 一种解调电路，包括：输入端子（IN），输入当前幅度调制信号; 连接到输入端的第一晶体管（101）; 连接到所述第一晶体管的控制端子的电容（105）; 连接在第一晶体管的输入端子和控制端子之间的二极管（102） 并且提供施加输入端子的电流的第一电流源（104）。

    SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    3.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 失效
    半导体存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20090146188A1

    公开(公告)日：2009-06-11

    申请号：US12329851

    申请日：2008-12-08

    申请人： Daisuke YAMAZAKI

    发明人： Daisuke YAMAZAKI

    IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L27/1104 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/11

    摘要： A semiconductor storage device includes a plurality of integrated memory cells. Each cell includes a first inverter having a first driver transistor and a first load transistor which are formed on a semiconductor substrate in order to form a first storage node, a second inverter having a second driver transistor and a second load transistor which are formed on the semiconductor substrate in order to form a second storage node, a first transfer transistor connected between the first storage node and a bit line to serve as a transistor connecting the memory cell to the bit line, and a second transfer transistor connected between the second storage node and a complementary-bit line to serve as a transistor connecting the memory cell to the complementary-bit line.

    摘要翻译： 半导体存储装置包括多个集成存储单元。 每个单元包括具有第一驱动晶体管和第一负载晶体管的第一反相器，其形成在半导体衬底上以形成第一存储节点，第二反相器具有第二驱动晶体管和第二负载晶体管， 半导体衬底以形成第二存储节点，连接在第一存储节点和位线之间的第一传输晶体管，用作将存储器单元连接到位线的晶体管，以及连接在第二存储节点之间的第二传输晶体管 以及用作将存储单元连接到互补位线的晶体管的互补位线。

    DEMODULATION CIRCUIT
    4.
    发明申请
    DEMODULATION CIRCUIT 有权
    解调电路

    公开(公告)号：US20080224766A1

    公开(公告)日：2008-09-18

    申请号：US12129454

    申请日：2008-05-29

    申请人： Daisuke YAMAZAKI ,  Kunihiko GOTOH

    发明人： Daisuke YAMAZAKI ,  Kunihiko GOTOH

    IPC分类号： H03D1/00

    CPC分类号： H04L27/06 ,  H03D1/22 ,  H04B1/707 ,  H04B2201/70715 ,  H04L25/067

    摘要： A modulation ratio enhancement circuit increases the modulation ratio of a current signal which is ASK-modulated with signal data. A branch unit, an average value detection unit, a comparator and a buffer constitute a demodulation unit so that the signal data is demodulated from a current signal of which the modulation ratio is increased by the modulation ratio enhancement circuit.

    摘要翻译： 调制比增强电路增加了用信号数据进行ASK调制的电流信号的调制比。 分支单元，平均值检测单元，比较器和缓冲器构成解调单元，使得通过调制比增强电路从调制比增大的当前信号中解调信号数据。

    SIGNAL EXTRACTION CIRCUIT
    5.
    发明申请
    SIGNAL EXTRACTION CIRCUIT 有权
    信号提取电路

    公开(公告)号：US20080265987A1

    公开(公告)日：2008-10-30

    申请号：US12129440

    申请日：2008-05-29

    申请人： Daisuke YAMAZAKI

    发明人： Daisuke YAMAZAKI

    IPC分类号： H03D1/10 ,  H03F3/16

    CPC分类号： H03D1/18 ,  H04B1/06

    摘要： A shunt regulator performs a control so as to stabilize a voltage obtained by rectifying the radio frequency signal output from an antenna unit at a prescribed voltage value. A signal extraction unit extracts the information signal from a bypass current sent by the shunt regulator for the control when the voltage fluctuates.

    摘要翻译： 分流调节器进行控制，以便稳定通过以规定的电压值对从天线单元输出的射频信号进行整流而获得的电压。 当电压波动时，信号提取单元从用于控制的并联调节器发送的旁路电流提取信息信号。