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发明授权
Process for removing dopant ions from a substrate 有权
标题翻译：从衬底去除掺杂剂离子的工艺

公开(公告)号：US06764551B2

公开(公告)日：2004-07-20

申请号：US09971820

申请日：2001-10-05

申请人： David B. Riggs , Rajarao Jammy , John Kim , Stephen M. Lucarini , George L. Mack , Christopher Parks

发明人： David B. Riggs , Rajarao Jammy , John Kim , Stephen M. Lucarini , George L. Mack , Christopher Parks

IPC分类号： B08B704

CPC分类号： H01L21/02046 , B08B7/00

摘要： A process for removing dopant ions from a semiconductor substrate includes exposing the substrate to a non-aqueous organic solvent in liquid and/or vapor form.

摘要翻译： 从半导体衬底去除掺杂剂离子的方法包括将衬底暴露于液体和/或蒸汽形式的非水有机溶剂中。