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    PROCESS FOR THE FORMATION OF DIELECTRIC ISOLATION STRUCTURES IN SEMICONDUCTOR DEVICES
    1.
    发明申请
    PROCESS FOR THE FORMATION OF DIELECTRIC ISOLATION STRUCTURES IN SEMICONDUCTOR DEVICES 审中-公开
    在半导体器件中形成介电隔离结构的方法

    公开(公告)号：US20080213970A1

    公开(公告)日：2008-09-04

    申请号：US12014883

    申请日：2008-01-16

    申请人： Donata PICCOLO ,  Lorena Katia Beghin ,  Marcello Mariani ,  Chiara Savardi

    发明人： Donata PICCOLO ,  Lorena Katia Beghin ,  Marcello Mariani ,  Chiara Savardi

    IPC分类号： H01L21/762

    CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L21/76232

    摘要： A process for forming a dielectric isolation structure on a silicon substrate includes forming at least one trench in the substrate, performing a high-temperature treatment in an oxidizing environment to form a first liner layer of silicon dioxide on the walls and the bottom of the trench, and performing a silicon dioxide deposition treatment to form a second liner layer on the first liner layer. A silicon nitride deposition treatment is also performed to form a third liner layer on the second liner layer. The trench is filled with isolating material.

    摘要翻译： 在硅衬底上形成电介质隔离结构的工艺包括在衬底中形成至少一个沟槽，在氧化环境中进行高温处理，以在沟槽的壁和底部形成二氧化硅的第一衬里层 ，并且进行二氧化硅沉积处理以在第一衬里层上形成第二衬里层。 还进行氮化硅沉积处理以在第二衬里层上形成第三衬里层。 沟槽填充有隔离材料。