公开(公告)号：US20050253621A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：US10845897

申请日：2004-05-14

申请人： Edmund Gamble ,  Terence Rodrigues ,  Leon Wu

发明人： Edmund Gamble ,  Terence Rodrigues ,  Leon Wu

IPC分类号： H03K19/003 ,  H04L25/08

CPC分类号： H04L25/08

摘要： Aspects for improving signal quality on high speed, multi-drop busses are described. The aspects include coupling a source device directly to multiple load devices, wherein there are no resistance components coupled in series between the source device and the multiple load devices. The aspects further include providing a spacing arrangement for the multiple load devices, wherein negative reflections are delayed to minimize deleterious efforts from the negative reflections. Through the present invention, the modified version of a commonly used bus topology achieves extended voltage timing margins in a high speed, multi-drop bus in a straightforward and efficient manner.

摘要翻译： 描述了提高高速，多点总线信号质量的方面。 这些方面包括将源设备直接耦合到多个负载设备，其中在源设备和多个负载设备之间没有串联耦合的电阻元件。 这些方面还包括提供用于多个负载装置的间隔布置，其中延迟负反射以使来自负反射的有害努力最小化。 通过本发明，常用总线拓扑的修改版本以直接和有效的方式实现了高速，多点总线中的延长的电压定时裕度。

公开(公告)号：US20070162787A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：US11690200

申请日：2007-03-23

申请人： Charles Dart ,  Edmund Gamble ,  Gary Jansma ,  Terence Rodrigues ,  Robert Ruckriegel ,  Bruce Wilkie

发明人： Charles Dart ,  Edmund Gamble ,  Gary Jansma ,  Terence Rodrigues ,  Robert Ruckriegel ,  Bruce Wilkie

IPC分类号： G06F11/00

CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C5/147 ,  G11C29/021

摘要： A method and system for improving Field Replacement Unit (FRU) isolation in memory sub-systems by monitoring Voltage Regulator Module (VRM) induced memory errors. A comparator compares the output voltage coming from the VRM to memory. If the comparator detects a VRM output voltage transient that is outside a rated threshold, then a counter is increased by one. If the counter exceeds a count threshold, a VRM error is posted. If a memory failure occurs within a predetermined period of time, then the VRM error pinpoints the VRM output voltage transient as being the likely cause of the memory failure.

摘要翻译： 通过监控电压调节器模块（VRM）引起的内存错误，改善了存储器子系统中的现场替换单元（FRU）隔离的方法和系统。 比较器将来自VRM的输出电压与存储器进行比较。 如果比较器检测到超出额定阈值的VRM输出电压瞬变，则计数器增加1。 如果计数器超过计数阈值，则发布VRM错误。 如果在预定时间内出现内存故障，则VRM错误将VRM输出电压瞬变定位为存储器故障的可能原因。

公开(公告)号：US20050283686A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：US10872099

申请日：2004-06-18

申请人： Charles Dart ,  Edmund Gamble ,  Gary Jansma ,  Terence Rodrigues ,  Robert Ruckriegel ,  Bruce Wilkie

发明人： Charles Dart ,  Edmund Gamble ,  Gary Jansma ,  Terence Rodrigues ,  Robert Ruckriegel ,  Bruce Wilkie

IPC分类号： G06F11/00

CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C5/147 ,  G11C29/021

摘要： A method and system for improving Field Replacement Unit (FRU) isolation in memory sub-systems by monitoring Voltage Regulator Module (VRM) induced memory errors. A comparator compares the output voltage coming from the VRM to memory. If the comparator detects a VRM output voltage transient that is outside a rated threshold, then a counter is increased by one. If the counter exceeds a count threshold, a VRM error is posted. If a memory failure occurs within a predetermined period of time, then the VRM error pinpoints the VRM output voltage transient as being the likely cause of the memory failure.

摘要翻译： 通过监控电压调节器模块（VRM）引起的内存错误，改善了存储器子系统中的现场替换单元（FRU）隔离的方法和系统。 比较器将来自VRM的输出电压与存储器进行比较。 如果比较器检测到超出额定阈值的VRM输出电压瞬变，则计数器增加1。 如果计数器超过计数阈值，则发布VRM错误。 如果在预定时间内出现内存故障，则VRM错误将VRM输出电压瞬变定位为存储器故障的可能原因。