公开(公告)号：US09183946B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US14153140

申请日：2014-01-13

申请人： Eun-Kyoung Kim ,  Myoung-Won Yoon ,  Jong-Chul Lee ,  Oh-Suk Kwong ,  Won-Chul Lee

发明人： Eun-Kyoung Kim ,  Myoung-Won Yoon ,  Jong-Chul Lee ,  Oh-Suk Kwong ,  Won-Chul Lee

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/34 ,  G11C29/08 ,  G11C29/50

CPC分类号： G11C16/3459 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/349 ,  G11C29/08 ,  G11C29/50016

摘要： A method of storing data in a nonvolatile memory device comprises performing a program operation on target memory cells among multiple memory cells, performing a first verify operation to determine whether the target memory cells are in a program pass state or a program fail state, and as a consequence of determining that the target memory cells are in the program pass state, performing a second verify operation to determine whether the target memory cells exhibit a program error symptom.

摘要翻译： 一种在非易失性存储器件中存储数据的方法包括对多个存储器单元中的目标存储器单元执行编程操作，执行第一验证操作以确定目标存储器单元是处于程序通过状态还是程序失败状态，以及作为 确定目标存储器单元处于程序通过状态的结果，执行第二验证操作以确定目标存储器单元是否呈现程序错误症状。