公开(公告)号：US20140335277A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：US14338881

申请日：2014-07-23

Applicant: GENERAL ELECTRIC COMPANY

Inventor： Rupak Das ,  Jon Conrad Schaeffer

IPC: B05D1/36

CPC classification number: B05D1/36 ,  F01D5/288 ,  F05D2230/30 ,  F05D2300/6033 ,  Y10T156/10

Abstract: A method includes disposing a bond layer on a substrate; disposing a reinforcing layer on the bond layer, the reinforcing layer comprising hydrogen; and disposing a protective layer on the reinforcing layer, wherein the reinforcing layer reduces formation of thermally grown oxide generated at the bond layer.

Abstract translation: 一种方法包括在基底上设置接合层; 在所述接合层上设置增强层，所述增强层包含氢; 并且在所述加强层上设置保护层，其中所述增强层减少在所述接合层处产生的热生长的氧化物的形成。