公开(公告)号：US20130344667A1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：US13528375

申请日：2012-06-20

申请人： Ganming Qin ,  Edouard D. de Frésart ,  Peilin Wang ,  Pon S. Ku

发明人： Ganming Qin ,  Edouard D. de Frésart ,  Peilin Wang ,  Pon S. Ku

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734

摘要： A high voltage vertical field effect transistor device (101) is fabricated in a substrate (102, 104) using angled implantations (116, 120) into trench sidewalls formed above recessed gate poly layers (114) to form self-aligned N+ regions (123) adjacent to the trenches and along an upper region of an elevated substrate. With a trench fill insulator layer (124) formed over the recessed gate poly layers (114), self-aligned P+ body contact regions (128) are implanted into the elevated substrate without counter-doping the self-aligned N+ regions (123), and a subsequent recess etch removes the elevated substrate, leaving self-aligned N+ source regions (135-142) and P+ body contact regions (130-134).

摘要翻译： 使用成角度的注入（116,120）形成在形成自对准N +区域（123）的沟槽侧壁中的衬底（102,104）中来制造高电压垂直场效应晶体管器件（101） ）并且沿着升高的基底的上部区域。 利用形成在凹陷多晶硅层（114）上方的沟槽填充绝缘体层（124），将自对准P +体接触区域（128）注入升高的衬底中，而不会反向掺杂自对准的N +区域（123） 并且随后的凹陷蚀刻去除升高的衬底，留下自对准的N +源区（135-142）和P +体接触区（130-134）。

公开(公告)号：US08895394B2

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：US13528375

申请日：2012-06-20

申请人： Ganming Qin ,  Edouard D. de Frésart ,  Peilin Wang ,  Pon S. Ku

发明人： Ganming Qin ,  Edouard D. de Frésart ,  Peilin Wang ,  Pon S. Ku

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734

摘要： A high voltage vertical field effect transistor device (101) is fabricated in a substrate (102, 104) using angled implantations (116, 120) into trench sidewalls formed above recessed gate poly layers (114) to form self-aligned N+ regions (123) adjacent to the trenches and along an upper region of an elevated substrate. With a trench fill insulator layer (124) formed over the recessed gate poly layers (114), self-aligned P+ body contact regions (128) are implanted into the elevated substrate without counter-doping the self-aligned N+ regions (123), and a subsequent recess etch removes the elevated substrate, leaving self-aligned N+ source regions (135-142) and P+ body contact regions (130-134).

摘要翻译： 使用成角度的注入（116,120）形成在形成自对准N +区域（123）的沟槽侧壁中的衬底（102,104）中来制造高电压垂直场效应晶体管器件（101） ）并且沿着升高的基底的上部区域。 利用形成在凹陷多晶硅层（114）上方的沟槽填充绝缘体层（124），将自对准P +体接触区域（128）注入升高的衬底中，而不会反向掺杂自对准的N +区域（123） 并且随后的凹陷蚀刻去除升高的衬底，留下自对准的N +源区（135-142）和P +体接触区（130-134）。