公开(公告)号：US5431057A

公开(公告)日：1995-07-11

申请号：US198489

申请日：1994-02-18

申请人： Gunther Zimmer ,  Jorg Eichholz ,  Wilfried Mokwa ,  Michael Kandler ,  Yiannakis Manoli

发明人： Gunther Zimmer ,  Jorg Eichholz ,  Wilfried Mokwa ,  Michael Kandler ,  Yiannakis Manoli

IPC分类号： G01L9/00 ,  G01L9/12

CPC分类号： G01L9/0073 ,  G01L9/0042 ,  Y10T29/435

摘要： A process for manufacturing an integratable capacitative pressure sensor includes the following steps, starting from a semiconductor substrate (1): application of a guard film (2), precipitation of a polycrystalline semiconductor film (4), doping the polycrystalline semiconductor film (4) and removal of the guard film (2) by etching; then insulating the semiconductor zone (7) from the semiconductor substrate (1), and applying an insulator film (8) on the insulated semiconductor zone (7). The pressure sensor product, which is compatible with CMOS circuits and has increased sensor accuracy, includes a semiconductor zone (7) insulated from the semiconductor substrate (1) and an insulator film (8) applied on the insulated semiconductor zone (7), the polycrystalline semiconductor film (4) being located on the insulator film (8) above the insulated semiconductor zone (7).

摘要翻译： 一种用于制造可积分电容压力传感器的方法包括以下步骤：从半导体衬底（1）开始：施加保护膜（2），沉淀多晶半导体膜（4），掺杂多晶半导体膜（4） 并通过蚀刻去除保护膜（2）; 然后将半导体区域（7）与半导体衬底（1）绝缘，并在绝缘半导体区域（7）上施加绝缘膜（8）。 与CMOS电路兼容并且增加传感器精度的压力传感器产品包括与半导体衬底（1）绝缘的半导体区（7）和施加在绝缘半导体区（7）上的绝缘膜（8）， 多晶半导体膜（4）位于绝缘半导体区（7）上方的绝缘膜（8）上。

公开(公告)号：US5321989A

公开(公告)日：1994-06-21

申请号：US917007

申请日：1993-02-26

申请人： Gunther Zimmer ,  Jorg Eichholz ,  Wilfried Mokwa ,  Michael Kandler ,  Yiannakis Manoli

发明人： Gunther Zimmer ,  Jorg Eichholz ,  Wilfried Mokwa ,  Michael Kandler ,  Yiannakis Manoli

IPC分类号： G01L9/12 ,  G01L9/00

CPC分类号： G01L9/0073 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/125 ,  Y10T29/435

摘要： A process for manufacturing an integratable capacitative pressure sensor includes the following steps, starting from a semiconductor substrate (1): application of a guard film (2), precipitation of a polycrystalline semiconductor film (4), doping the polycrystalline semiconductor film (4) and removal of the guard film (2) by etching; then insulating the semiconductor zone (7) from the semiconductor substrate (1), and applying an insulator film (8) on the insulated semiconductor zone (7). The pressure sensor product, which is compatible with CMOS circuits and has increased sensor accuracy, includes a semiconductor zone (7) insulated from the semiconductor substrate (1) and an insulator film (8) applied on the insulated semiconductor zone (7), the polycrystalline semiconductor film (4) being located on the insulator film (8) above the insulated semiconductor zone (7).

摘要翻译： PCT No.PCT / DE91 / 00107 Sec。 371日期：1993年2月26日 102（e）日期1993年2月26日PCT 1991年2月9日PCT PCT。 第WO91 / 12507号公报 日本1981年8月22日。一种用于制造可积分电容压力传感器的方法包括以下步骤：从半导体衬底（1）开始：施加保护膜（2），沉淀多晶半导体膜（4），掺杂 多晶半导体膜（4），通过蚀刻除去保护膜（2） 然后将半导体区域（7）与半导体衬底（1）绝缘，并在绝缘半导体区域（7）上施加绝缘膜（8）。 与CMOS电路兼容并且增加传感器精度的压力传感器产品包括与半导体衬底（1）绝缘的半导体区（7）和施加在绝缘半导体区（7）上的绝缘膜（8）， 多晶半导体膜（4）位于绝缘半导体区（7）上方的绝缘膜（8）上。