公开(公告)号：US20110007563A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12797668

申请日：2010-06-10

申请人： Han Woong YOO ,  Seung-Hwan SONG ,  Hee seok EUN ,  Jun jin KONG

发明人： Han Woong YOO ,  Seung-Hwan SONG ,  Hee seok EUN ,  Jun jin KONG

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/34 ,  G11C11/5642

摘要： A method of reading a nonvolatile memory device comprises measuring threshold voltage distributions of a plurality of memory cells, combining the measured threshold voltage distributions, and determining local minimum points in the combined threshold voltage distributions to determine read voltages for a predetermined group of memory cells.

摘要翻译： 读取非易失性存储器件的方法包括测量多个存储器单元的阈值电压分布，组合测量的阈值电压分布，以及确定组合阈值电压分布中的局部最小点，以确定预定组的存储器单元的读取电压。