公开(公告)号：US20110240123A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US12751516

申请日：2010-03-31

申请人： Hao LIN ,  Wei Xia ,  Hsiang Ning Wu ,  Ching Wan TANG

发明人： Hao LIN ,  Wei Xia ,  Hsiang Ning Wu ,  Ching Wan TANG

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/543

摘要： A photovoltaic cell comprising a metal oxide back buffer layer. Improved n-CdS/p-CdTe heterojunction photovoltaic cells comprising a metal oxide buffer layer for making low-resistance electrical contact to the p-type CdTe layer. The back buffer layer comprises metal oxides having a high work function.

摘要翻译： 一种包含金属氧化物背缓冲层的光伏电池。 包括用于与p型CdTe层进行低电阻电接触的金属氧化物缓冲层的改进的n-CdS / p-CdTe异质结光伏电池。 后缓冲层包括具有高功函数的金属氧化物。