公开(公告)号：US4892568A

公开(公告)日：1990-01-09

申请号：US293750

申请日：1989-01-03

申请人： Helene Prigge ,  Robert Rurlander ,  Michael Schwab ,  Hans P. Bortner ,  Andreas Englmuller

发明人： Helene Prigge ,  Robert Rurlander ,  Michael Schwab ,  Hans P. Bortner ,  Andreas Englmuller

IPC分类号： B01D53/46 ,  B01D53/14 ,  C01B33/027 ,  C01B33/03 ,  C01B33/107 ,  C30B29/06

CPC分类号： C01B33/027

摘要： The liquid or gaseous substances, such as hydrogen or trichlorosilane, enntered in the gas-phase deposition of silicon may contain n-type doping impurities which can be removed by adduct formation with silicon, titanium or tin halides. The impurities can be liberated from the adducts by thermal treatment and finally removed. The halides left behind are capable of again forming adducts and are again used to remove the impurities. The process can consequently be operated cyclically and is remarkable for the low quantity of chemicals required and for its ecological harmlessness.

摘要翻译： 在气相沉积硅中遇到的液体或气态物质，如氢或三氯硅烷可能含有n型掺杂杂质，可以通过与硅，钛或锡卤化物的形成加成物来除去。 杂质可以通过热处理从加合物中释放出来并最终去除。 留下的卤化物能够再次形成加合物，并再次用于除去杂质。 因此，该方法可以周期性地运行，并且对于所需的低量化学品和其生态无害性是显着的。