公开(公告)号：US20120292663A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13110938

申请日：2011-05-19

申请人： Heng-Kuang LIN ,  Han-Chieh HO ,  Pei-Chin CHIU ,  Jen-Inn CHYI

发明人： Heng-Kuang LIN ,  Han-Chieh HO ,  Pei-Chin CHIU ,  Jen-Inn CHYI

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/36 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/785

摘要： The invention provides two Sb-based n- or p-channel layer structures as a template for MISFET and complementary MISFET development. Four types of MISFET devices and two types of complementary MISFET circuit devices can be developed based on the invented layer structures. Also, the layer structures can accommodate more than one complementary MISFETs and more than one single active MISFETs to be integrated on the same substrate monolithically.

摘要翻译： 本发明提供了两个Sb基的n沟道或p沟道层结构作为MISFET和互补MISFET开发的模板。 可以基于本发明的层结构开发四种类型的MISFET器件和两种类型的互补MISFET电路器件。 此外，层结构可以容纳多于一个的互补MISFET和多于一个单个有源MISFET，以整体地集成在相同的衬底上。