公开(公告)号：US5200021A

公开(公告)日：1993-04-06

申请号：US267635

申请日：1988-10-31

申请人： Hiroji Kawai ,  Syunji Imanaga ,  Ichiro Hase ,  Kunio Kaneko ,  Naozo Watanabe

发明人： Hiroji Kawai ,  Syunji Imanaga ,  Ichiro Hase ,  Kunio Kaneko ,  Naozo Watanabe

IPC分类号： C23C16/52

CPC分类号： C23C16/52

摘要： A method for vapor deposition includes monitoring of growth of a semiconductor layer by way of in-situ monitoring. According to the invention, in-situ monitoring is performed by irradiating a light beam onto the surface of the growing layer in a direction nearly perpendicular to the surface. Growth parameters of the layer are detected by monitoring variation of the light reflected by the surface of the layer. A growth condition in a vapor deposition chamber is feedback controlled based on the detected growth parameter.

摘要翻译： 一种用于气相沉积的方法包括通过原位监测来监测半导体层的生长。 根据本发明，通过在近似垂直于表面的方向上将光束照射到生长层的表面上来进行原位监测。 通过监测由该层的表面反射的光的变化来检测该层的生长参数。 基于检测到的生长参数反馈控制气相沉积室中的生长条件。