公开(公告)号：US08513740B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US12873611

申请日：2010-09-01

申请人： Hong-bae Park ,  Sug-hun Hong ,  Sang-jin Hyun ,  Hoon-ju Na ,  Hye-lan Lee ,  Hyung-seok Hong

发明人： Hong-bae Park ,  Sug-hun Hong ,  Sang-jin Hyun ,  Hoon-ju Na ,  Hye-lan Lee ,  Hyung-seok Hong

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

摘要： A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device including: a semiconductor substrate including a NMOS region and a PMOS region; a NMOS metal gate stack structure on the NMOS region and including a first high dielectric layer, a first barrier metal gate on the first high dielectric layer and including a metal oxide nitride layer, and a first metal gate on the first barrier metal gate; and a PMOS metal gate stack structure on the PMOS region and including a second high dielectric layer, a second barrier metal gate on the second high dielectric layer and including a metal oxide nitride layer, and a second metal gate on the second barrier metal gate.

摘要翻译： 一种互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，包括：包括NMOS区域和PMOS区域的半导体衬底; 在NMOS区域上的NMOS金属栅叠层结构，包括第一高介电层，第一高电介质层上的第一势垒金属栅极，并且包括金属氧化物氮化物层，以及第一栅极金属栅极上的第一金属栅极; 以及在PMOS区域上的PMOS金属栅极堆叠结构，并且包括第二高介电层，第二高介电层上的第二阻挡金属栅极，并且包括金属氧化物氮化物层，以及在第二阻挡金属栅极上的第二金属栅极。

公开(公告)号：US20110121399A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US12873611

申请日：2010-09-01

申请人： Hong-bae PARK ,  Sug-hun Hong ,  Sang-jin Hyun ,  Hoon-ju Na ,  Hye-lan Lee ,  Hyung-seok Hong

发明人： Hong-bae PARK ,  Sug-hun Hong ,  Sang-jin Hyun ,  Hoon-ju Na ,  Hye-lan Lee ,  Hyung-seok Hong

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

摘要： A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device including: a semiconductor substrate including a NMOS region and a PMOS region; a NMOS metal gate stack structure on the NMOS region and including a first high dielectric layer, a first barrier metal gate on the first high dielectric layer and including a metal oxide nitride layer, and a first metal gate on the first barrier metal gate; and a PMOS metal gate stack structure on the PMOS region and including a second high dielectric layer, a second barrier metal gate on the second high dielectric layer and including a metal oxide nitride layer, and a second metal gate on the second barrier metal gate.

摘要翻译： 一种互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，包括：包括NMOS区域和PMOS区域的半导体衬底; 在NMOS区域上的NMOS金属栅叠层结构，包括第一高介电层，第一高电介质层上的第一势垒金属栅极，并且包括金属氧化物氮化物层，以及第一栅极金属栅极上的第一金属栅极; 以及在PMOS区域上的PMOS金属栅极堆叠结构，并且包括第二高介电层，第二高介电层上的第二阻挡金属栅极，并且包括金属氧化物氮化物层，以及在第二阻挡金属栅极上的第二金属栅极。