公开(公告)号：US20160211447A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：US14995488

申请日：2016-01-14

Applicant: IMEC VZW ,  Universiteit Gent

Inventor： Wouter Devulder ,  Ludovic Goux ,  Karl Opsomer

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/144 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146

Abstract: A Conductive Bridge Random Access Memory (CBRAM) device is disclosed, comprising an insulating electrolyte element sandwiched between a cation supply electrode and a bottom electrode, whereby the cation supply electrode consists of a CuxZyeTez alloy with Z being Ge or Si and with y>15 at. %.

Abstract translation: 公开了一种导电桥随机存取存储器（CBRAM），其包括夹在阳离子供应电极和底部电极之间的绝缘电解质元件，由此阳离子供应电极由Z为Ge或Si的CuxZyeTez合金和y> 15 在。 ％。