公开(公告)号：US20080153253A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US12003301

申请日：2007-12-21

申请人： Il-young Yoon ,  Jae-ouk Choo ,  Nam-jin Jung ,  Dong-hun Kim ,  Han-woo Lee ,  Gyu-nam Kim

发明人： Il-young Yoon ,  Jae-ouk Choo ,  Nam-jin Jung ,  Dong-hun Kim ,  Han-woo Lee ,  Gyu-nam Kim

IPC分类号： H01L21/762 ,  B24B1/00

CPC分类号： B24B37/26 ,  B24B37/044 ,  B24B37/245 ,  C09G1/00 ,  C09G1/04 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76224

摘要： A chemical mechanical polishing process and a method of fabricating a semiconductor device using the same are provided. The chemical mechanical polishing process includes applying a polishing activation solution with a reduced surface energy, wherein the polishing activation solution includes a surfactant; and polishing the object using the polishing activation solution. The method of fabrication includes forming a mask layer pattern on a semiconductor substrate, etching the substrate using the mask layer pattern as an etching mask, forming an insulating layer over a trench, and performing the chemical mechanical polishing above, wherein the object to be polished is the insulating layer.

摘要翻译： 提供化学机械抛光工艺和制造使用其的半导体器件的方法。 化学机械抛光工艺包括施加具有降低的表面能的抛光活化溶液，其中抛光活化溶液包括表面活性剂; 并使用抛光活化溶液抛光物体。 制造方法包括在半导体衬底上形成掩模层图案，使用掩模层图案蚀刻衬底作为蚀刻掩模，在沟槽上形成绝缘层，并进行上述化学机械抛光，其中待抛光的物体 是绝缘层。